毕业论文

打赏
当前位置: 毕业论文 > 材料科学 >

硫化物二维半导体阻变存储器(3)

时间:2018-04-10 21:01来源:毕业论文
的幅值、极性等,切断外部电源后,它会保持断电前的阻值不变,也称为非易失存储 性。 它的结构通常是典型的三明治MIM 三层结构,即底电极层与顶电极


的幅值、极性等,切断外部电源后,它会保持断电前的阻值不变,也称为非易失存储
性。
它的结构通常是典型的“三明治”MIM 三层结构,即底电极层与顶电极层以及中间
的阻变材料层(通常为半导体材料或绝缘材料),其工作原理是在两金属电极之间加
一定的电压刺激,使得阻变层产生忆阻效应,电阻由高阻态(HRS)转变为低阻态(LRS),而后再加一定电压刺激,其电阻态又返回高阻态。正是利用阻变材料这种忆
阻特性来逻辑计算中的“0”和“1” ,从而实现二进制数据的储存。同时,某些忆阻材
料还具有多阻态转换的性能,有利于制成多级存储器。进一步讲,特定的阻变材料具
有多种可变的阻值状态,可以读取低阻到高阻之间的多种阻值状态,进而实现多值存
储器。上诉多值存储要是得到实现,这将是存储器技术的一次重大革命。与传统的存
储器相比,忆阻器 RRAM具有很明显的技术优势(如表 1)。  硫化物二维半导体阻变存储器(3):http://www.lwfree.cn/cailiao/20180410/12819.html
------分隔线----------------------------
推荐内容