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反铁磁的各向异性磁电阻效应及其电场调控

时间:2018-04-24 20:39来源:毕业论文
利用铁磁绝缘体基底YIG 与反铁磁IrMn 薄膜,制备 YIG/IrMn 双层结构的薄膜样品, 对反铁磁中的各向异性磁电阻效应进行了初步探索。实验结果表明,反铁磁在高温与低温下存在两种不同的

摘要各向异性磁电阻效应是铁磁学中一种经典的磁电阻现象,但在反铁磁中很少有关于该效应的研究报道。 本文中, 利用铁磁绝缘体基底YIG 与反铁磁IrMn 薄膜,制备 YIG/IrMn 双层结构的薄膜样品, 对反铁磁中的各向异性磁电阻效应进行了初步探索。实验结果表明,反铁磁在高温与低温下存在两种不同的各向异性磁电阻效应产生机制,且反铁磁的薄膜厚度可以显著影响该效应。此外,反常(正常)霍尔效应的探索进一步丰富了 YIG/IrMn 这一薄膜结构的研究内容。由于涉及的理论知识较为复杂,需要更多的补充实验与理论分析以深入理解其物理本质。  21754
毕业论文关键词  反铁磁  各向异性磁电阻  铁磁学  霍尔效应
Title   Anisotropic Magnetoresistance in  Antiferromagnets   and Controlling by Electric Field                         
 Abstract
Anisotropic magnetoresistance (AMR) effect is a classic magnetic
resistance phenomenon in the field of ferromagnetics. However, there is
little research reports concerning the effect in antiferromagnets. In this
paper, by using the ferromagnetic insulator YIG and antiferromagnetic film
IrMn, the YIG/IrMn double layers sample is prepared. Further, the AMR
effect in antiferromagnets is explored preliminarily based on the sample.
Results show that there exists two different mechanisms for the occurring
of AMR in antiferromagnets under high and low temperature respectively,
and the effect can be strongly influenced by the thickness of the
antiferromagnetic  film. Additionally, the research contents are enriched
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by means of the exploration on anomalous or ordinary hall effect. Due to
the complicated  theoretical knowledge involved, more supplementary
experiments and theoretical analysis are required to understand the
physical nature thoroughly. 
Keywords  Antiferromagnets  Anisotropic Magnetoresistance 
Ferromagnetics  Hall Effect
 
目   次
 
1  引言  1
1.1  自旋电子学  1
1.2 各向异性磁电阻效应 4
1.3 反铁磁 5
1.4 反铁磁 IrMn 的研究概述 7
1.5 本论文的研究思路与内容 9
2   实验原理及方法 11
2.1 薄膜样品的制备 11
2.2 薄膜样品霍尔器件的制备 12
2.3 薄膜样品的结构与成分表征 14
2.4 薄膜样品的磁电性能测试 15
2.5 三种常见的霍尔效应 18
3   磁电阻效应初探及样品表征 22
3.1 铁磁金属的各向异性磁电阻 22
3.2 顺磁性金属的各向异性磁电阻 24
3.3 反铁磁 IrMn 薄膜样品的表征 26
3.4 本章小结 28
4   反铁磁 IrMn 各向异性磁电阻效应的初探 29
4.1 高温下反铁磁 IrMn 的各向异性磁电阻效应 29
4.2 低温下反铁磁 IrMn 的各向异性磁电阻效应 32
4.3  场冷模式对反铁磁 IrMn 各向异性磁电阻效应的影响 36
4.4  薄膜基底对反铁磁IrMn 各向异性磁电阻效应的影响 36
4.5  本章小结 38
5   反铁磁 IrMn 各向异性磁电阻效应的进一步研究 40
5.1  薄膜厚度对反铁磁IrMn 各向异性磁电阻效应的影响 40
5.2 反铁磁 IrMn 反常(正常)霍尔效应的研究 43
5.3 本章小结 46
结论   47
致谢   48
参考文献491  引言

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二十一世纪是信息技术高速发展的时代,席卷全球的信息科技也给人类的生产
和生活方式带来了深刻的变革。随着半导体工艺与集成电路研究的不断深入与完善, 反铁磁的各向异性磁电阻效应及其电场调控:http://www.lwfree.cn/cailiao/20180424/14102.html
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