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基于0.5um工艺的2X8微弱信号读出电路版图设计

时间:2018-01-11 14:01来源:毕业论文
论文在正确理解读出电路的结构组成、特性以及工作原理的基础上,使用Cadence软件工具,设计了一个基于0.5μmCMOS工艺的2X8的读出电路版图。其优点是电路设计简洁,利用率高。要求通过
摘要:集成电路已进入深亚微米和SOC时代。作为设计与制造的纽带,版图的地位至关重要。在各类集成电路中,模拟集成电路由于对器件特性的依赖性更强,所以其性能更大程度地受到版图因素的影响。集成电路的版图设计就是设计集成电路的各个物理层中的图形的过程。微弱信号读出电路在现代光电子以及微传感器方面都具有重要的意义。本毕业论文在正确理解读出电路的结构组成、特性以及工作原理的基础上,使用Cadence软件工具,设计了一个基于0.5μmCMOS工艺的2X8的读出电路版图。其优点是电路设计简洁,利用率高。要求通过DRC、lvs验证。17458
关键词:读出电路;板图;Cadence; CMOS
Layout design of a 2*8 Readout Circuit with weak signal based on 0.5μm CMOS technology
Abstract: Integrated circuit has entered the era of deep sub-micron and SOC. As the bridge connecting design and manufacturing, layout's status is essential. In various types of integrated circuits, analog integrated circuits due to the dependence of device characteristics more, so its performance is more closely under the influence of layout factors. Integrated circuit design is to design the graphics of integrated circuit's each physical layer process. Readout circuit has the important significance both in modern photoelectron and micro sensors. On the basis of the correct understanding of readout circuit structure, characteristics and principle, using the Cadence to design layout of a 2*8 readout circuit with weak signal. It needs to pass DRC and LVS verification.
Keyword:Readout circuit; Layout; Cadence; CMOS
目录
1  引言    1
2  课题要求及设计方案    2 源自六/维-论;文;网!加7位QQ324,9114 www.lwfree.cn
3  课题设计前期准备    4
3.1  相关简介    4
3.1.1  集成电路    4
3.1.2  集成电路的发明    4
3.1.3  集成电路的发展    5
3.1.4  集成电路的未来发展趋势    6
3.1.5  集成电路分类    6
3.1.6  微弱信号的定义及采集    8
3.1.7  MOS场效应晶体管    9
3.2  读出电路概述    10
3.2.1  读出电路单元的分类    10
3.2.2  读出电路设计    13
3.3  集成电路版图设计    14
3.3.1  版图设计的概述    14
3.3.2  版图设计规则    15
3.3.3  版图验证    19
3.3.4  叉指晶体管    19
3.3.5  Cadence软件简介    20
4  课题设计内容    21
4.1  总设计流程    21
4.2  CMOS集成电路    22
4.2.1  CMOS集成电路的特点    22
4.2.2  CMOS数字电路    23
4.3  2*8微弱信号读出电路设计原理    30
4.3.1  总体电路    30
4.4  2*8微弱信号读出电路版图绘制    35
4.4.1  基本单元电路的版图绘制    35
4.4.2  整级电路的版图绘制    41
4.5  2*8微弱信号读出电路版图验证    41
4.5.1  运行Diva DRC    42
4.5.2  运行Diva LVS    44
5  结论    47
致谢    48
参考文献    49

源自六/维-论;文;网!加7位QQ324,9114 www.lwfree.cn


附录    50
1    引言
自从1959年集成电路诞生以来,经历了小规模(SSI)、中规模(MSI)、大规模(LSI)、超大规模(VLSI)和特大规模(ULSI)的发展历程。目前已近进入系统集成或片上系统(SOC)的时代,可以将各种各样的功能模块、例如存储器、数字电路、模拟电路和输入/输出接口电路等集成在一个芯片上。从集成电路的特征尺寸上,目前商业化集成电路芯片上的特征尺寸为0.13μm -0.18μm ,今后发展的趋势是0.045μm -0.10μm ,即集成电路已进入深亚微米工艺和超深亚微米工艺时代。集成电路技术正在迅速向着更高集成度、超小型、高性能、高可靠性的方向发展。 基于0.5um工艺的2X8微弱信号读出电路版图设计:http://www.lwfree.cn/tongxin/20180111/19131.html
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