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基于MoS2功能性质的设计+文献综述

时间:2018-11-21 19:58来源:毕业论文
课题将在MoS2/石墨烯复合结构的基础上,尝试通过金属吸附的方式改变单层MoS2的功函数,从而改变MoS2与石墨烯之间的电荷转移及电子相互作用,并探讨此改变对打开石墨烯的带隙的影响

摘要自石墨烯被发现以来,它因优良的性质广受关注。与石墨烯略有不同的二维材料MoS2也有着高达200cm2V-1s-1的电子迁移率。通过各种方法合成的MoS2/石墨烯并未能打开一个较大的带隙。为了进一步扩展石墨烯在现代精细电子器件中的应用,石墨烯需要打开一个恰当的能隙使之具备类似硅材料的半导体性质。根据前人的理论及实验研究,石墨烯复合结构打开带隙主要归因于不同二维结构层间的电荷原子及电子相互作用,而功函数的不同是发生层间电荷转移的主要因素。本课题将在MoS2/石墨烯复合结构的基础上,尝试通过金属吸附的方式改变单层MoS2的功函数,从而改变MoS2与石墨烯之间的电荷转移及电子相互作用,并探讨此改变对打开石墨烯的带隙的影响。30436
关键词  石墨烯  MoS2/石墨烯复合结构  金属吸附   带隙打开
毕业论文设计说明书外文摘要
Title    Design of MoS2  based  on  functional  properties  
Abstract
      Since graphene was found, it has been concerned because of the excellent quality.. With graphene slightly different two-dimensional material MoS2 also has an electron mobility of up to 200cm2V-1s-1. MoS2/ graphene synthesized by various methods failed to open a large band gap. In order to further expand graphene application in modern electronic devices, graphene is required to open a proper gap to make it have semiconductor properties similar to silicon materials. According to the previous theoretical and experimental research, open the graphene composite structure band gap is mainly due to two-dimensional structural layer between the atomic charge and electron interaction, and work function is inter-layer charge transfer of the main factors. This topic will be on the basis of MoS2 / graphene composite structure, try to through the metal adsorption way change the work function of the single-layer MoS2, which changes between MoS2 and graphene charge transfer and electron interaction, and discuss the change to open the bandgap of graphene is investigated. 源`自*六)维[论*文'网www.lwfree.cn
Keywords  graphene MoS2/graphene composite structure  metal adsorption  band-gap opens
 目   次
1 绪论 1
      1.1引言1
      1.2二维材料的研究背景1
      1.3二维材料的研究进展2
      1.4本设计的研究思路与研究内容 3
 2  理论方法简介4     
       2.1 费米能级 4
    2.2 功函数   5
    2.3密度泛函理论   7
    2.4第一性原理计算方法 9
    2.4.1“从头算”方法的物理基础9
      2.5实验中所用软件包概述 11
3对MoS2/石墨烯的模拟研究 13
     3.1研究背景13
     3.2计算方法13
     3.3结果分析与讨论14
结论  17
致谢 18
参考文献 19
1  绪论   
1.1  引言
二维材料是仅有一个或几个原子层厚度的薄膜材料。存在于自然界中的六方氮化硼被称为“白石墨”。它和石墨的性质很相似,但与本课题的主角石墨烯完全不同,“白石墨”是良好的绝缘体。也有研究发现,当把“白石墨”作为石墨烯的衬底时,石墨烯的迁移率将大幅度提高。[1]除了“白石墨”,二维材料的研究热点还包含二硫化钼。和石墨烯与六方氮化硼都大不相同的是,二硫化钼是一种半导体材料。凭此,二硫化钼也可以被用于制作场效应晶体管。除了上述材料,二硫化钨、二硫化钛、二硒化钼、碲化锑及碲化铋等都是各具特性的二维材料。[2]自石墨烯被发现以来,对石墨烯、石墨烯的相关材料以及石墨烯衍生物(例如掺杂石墨烯、氟化石墨烯、石墨二炔、多孔石墨烯、氧化石墨烯、石墨炔以及石墨烷等诸多材料的研究也越来越兴盛起来。也正是石墨烯的发现,对二维材料这个新兴领域的相关研究起了极大的推动作用。 基于MoS2功能性质的设计+文献综述:http://www.lwfree.cn/wuli/20181121/26138.html
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